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發光二極體之原理與製程(修訂版)
作者：
陳隆建
分類：
工業•工程
／
電子•電機
叢書系列：大專電子
出版社：
全華圖書
出版日期：2008/6/24
ISBN：9572166050
書籍編號：kk0208874
頁數：264
定價：
320
元
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元
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內容簡介
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<b><font color="#aa0000">內容簡介</font></b> 在這電子產業突飛猛進的年代，相關重要的電子零件也隨著產業蓬勃發展而發光發熱，二極體便是其中的佼佼者；本書針對二極體原理、製程到多方面的應用有深入淺出的探討。 本書共分為兩部份，第一章到第五章介紹發光二極體動作原理與物理特性；第六章到第八章則說明發光二極體製程技術與應用；另外收錄半導體元素特性值與化學元素符號、物理常數等介紹，方便讀者查閱。本書資料詳盡、淺顯易懂，適合科大、私立大學電子、光電系之高年級「光電元件」、「LED製程與應用」課程使用。 <b><font color="#aa0000">目錄</font></b> 第一章材料概論 1-11.1晶體性質 1-21.1.1晶格(lattice) 1-21.1.2晶面與晶向 1-31.1.3晶體結構 1-41.1.4布里勞因區 1-61.2能帶 1-71.2.1能帶的形成 1-71.2.2能量-動量關係 1-81.2.3導體、半導體和絕緣體 1-111.3半導體材料 1-121.3.1半導體材料的分類 1-121.3.2化合物半導體 1-121.3.3半導體的摻雜 1-141.4晶體匹配 1-171.4.1晶格匹配 1-261.4.2材料的選擇 1-26 第二章載子傳輸現象 1-282.1載子傳輸現象 2-22.1.1漂泊 2-22.1.2電阻 2-32.1.3散射 2-52.2載子擴散 2-62.2.1擴散過程 2-62.2.2愛因斯坦關係式 2-82.2.3電流密度方程式 2-92.3複合過程 2-92.3.1輻射複合 2-102.3.2非輻射複合 2-132.3.3表面複合 2-162.4連續性方程式 2-182.4.1單邊穩態注入 2-202.4.2海恩士-蕭克萊實驗 第3章p-n接面理論 3-13.1平衡條件 3-23.2空乏區 3-53.3電流-電壓特性 3-83.3.1理想穩態特性 3-83.3.2產生-複合電流 3-123.4電容-電壓特性 3-133.3.1理想穩態特性 3-133.3.2產生-複合電流 3-153.5暫態現象 3-163.5.1暫態響應 3-173.5.2反向恢復暫態 3-193.6接面崩潰 3-203.6.1稽納崩潰 3-203.6.2倍增崩潰 3-20 第四章金屬-半導體接觸理論 4-14.1金屬-半導體接觸的形式 4-24.1.1金屬n型半導體接觸 4-24.1.2金屬-p型半導體接觸 4-54.2蕭基接觸 4-64.2.1熱離子放射理論 4-74.2.2電流-電壓特性 4-94.2.3電位障高度 4-124.2.4空乏區 4-144.2.5電位障高度的量測方法 4-164.3毆姆接觸 4-194.3.1非合金接觸 4-204.3.2合金接觸 4-204.3.3穿透接觸 4-224.3.4傳輸線模型理論 4-25 第五章晶體成長與量測 5-15.1單晶成長 5-35.1.1相平衡 5-35.1.2柴可拉斯基長晶法 5-45.1.3布吉曼長晶法 5-65.1.4垂直梯度冷卻式長晶法 5-85.2磊晶成長 5-105.2.1液相磊晶法 5-105.2.2氣相磊晶法 5-135.2.3有機金屬氣相沉積法 5-155.2.4分子束磊晶法 5-185.2.5四種磊晶法的比較 5-225.3晶體量測 5-225.3.1X光繞射學 5-225.3.2光吸收光譜 5-255.3.3光激發光譜 5-275.3.4霍爾量測 5-31 第六章發光二極體之製程技術 6-16.1金屬化製程 6-26.2微影製程?
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