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薄膜科技與應用(第五版)
作者：
羅吉宗
分類：
參考•考試•教科書
／
大專學院教科書
出版社：
全華圖書
出版日期：2017/12/27
ISBN：9789864635306
書籍編號：kk0459166
頁數：448
定價：
480
元
優惠價：
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422
元
書價若有異動，以出版社實際定價為準
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內容簡介
書籍目錄
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薄膜科技與應用(第五版) 本書特色 1.薄膜是實踐電子元件輕薄短小、低損耗能量之關鍵技術，使固態電子產品之進步發展得以靈活設計及精確控制其品質。 2.薄膜技術涉及多門學科領域，本書將薄膜的應用與製作薄膜所用到的真空技術、熱力、電漿科技皆有所涵蓋。 3.本書內容共為八章，前四章介紹薄膜製作技術所用到的各種裝備與物理機制，第五、六章說明如何製作高品質薄膜和薄膜品質對元件電性的影響，第七、八兩章說明量測薄膜特性的各種技術與原理。 4.適合大學、科大機械、電機、化工、材料系「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用，也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。 內容簡介 薄膜技術的進展和表面界面物理導入，使電子元件實現了輕薄短小，且有效控制半導體材料和固態元件之品質。坊間有多種薄膜技術叢書，但多僅闡述製作技術。本書將引導對薄膜有興趣者認識真空、電漿、長膜機制，製作高品質薄膜的要件，薄膜品質之鑑定和薄膜製作技術如何改善電子元件功能等。本書前四章介紹薄膜沉積所用到的真空、電漿、熱力、動力等薄膜生長機制；第五、六章介紹高品質薄膜對元件電性之影響；第七、八章說明量測薄膜特性之技術與原理。是一本適合大學、科大機械、電機、化工、材料系三、四年級「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用，也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。
目錄 第1章 真空技術與氣體傳輸安全 1-1 氣 壓 1-2 氣體動力學 1-3 真空系統 1-3.1 氣導(conductance) 1-3.2 抽氣速率 1-4 真空泵浦 1-4.1 迴轉式機械泵浦(rotary mechanical pump)與乾式泵浦(dry pump) 1-4.2 擴散泵浦(diffusion pump) 1-4.3 渦輪式分子泵浦(turbo molecular pump) 1-4.4 低溫泵浦(cryogenic pump) 1-5 真空氣壓計(vacuum pressure gauge) 1-5.1 Pirani真空計 1-5.2 熱電偶真空計(thermocouple gauge) 1-5.3 Baratron電容式真空計 1-5.4 離子式真空計 1-5.5 Penning冷陰極真空計 1-5.6 剩餘氣體分析儀(residual gas analyzer) 1-6 漏氣測定 1-7 氣體傳輸系統 1-7.1 閥門(valve) 1-7.2 真空導引(feed through) 1-7.3 管件的連接 1-8 危險氣體的處理 1-9 流量的量測與控制 習題 參考資料 第2章 電漿(plasma)物理 2-1 電漿中的氣相碰撞 2-2 各種電漿粒子與表面之作用 2-2.1 濺 射 2-2.2 二次電子 2-2.3 在基板表面沉積薄膜或蝕刻 2-3 直流輝光放電(D.C glow discharge) 2-3.1 直流輝光放電特性 2-3.2 陰極暗區 2-3.3 電漿輝光放電區 2-3.4 陽極暗區 2-4 射頻輝光放電(radio frequency glow discharge) 2-4.1 RF電漿的直流自我偏壓 2-4.2 RF系統的電壓分布 2-4.3 調頻器(matching box or tunner) 2-5 磁控管(magnetron)輝光放電 2-5.1 帶電粒子在磁場方向螺旋前進 2-5.2 帶電粒子受電力和磁力作用 2-6 高密度電漿(high density plasma) 習題 參考資料 第3章 表面動力學與薄膜生長機制 3-1 物理吸附(physisorption) 3-2 化學吸附(chemisorption) 3-3 吸附原子在基板表面產生表面張力 3-4 結合能與表面張力 3-5 吸附量與溫度、氣壓之關係 3-6 摻質原子在晶體中的擴散 3-7 表面擴散與薄膜間的互擴散 3-8 孕核(nucleation) 3-9 原子團的生長與聚合 3-10 薄膜的結構與缺陷 習題 參考資料 第4章 薄膜製作技術 4-1 熱氧化(thermal oxidation) 4-2 物理汽相沉積(PVD) 4-2.1 蒸鍍(evaporation) 4-2.2 脈衝雷射沉積(PLD) 4-2.3 濺射沈積或乾蝕刻(Sputtering Deposition or Dry Etching) 4-2.4 離子束沉積或蝕刻(Ion beam deposition or Ion mill) 4-3 化學汽相沉積(CVD) 4-3.1 反應腔中氣體傳送原理 4-3.2 CVD動力學 4-3.3 CVD反應系統 4-4 導電薄膜和介電薄膜製作 4-5 磊晶技術(epitaxial technology) 4-5.1 鹵化物系VPE同質磊晶 4-5.2 Ⅲ一Ⅴ族半導體異質磊晶 4-6 微影製版術(lithography technology) 4-6.1 光阻材料 4-6.2 紫外線曝光技術 4-6.3 圖案對準技術 4-7 蝕刻技術(Etching technology) 4-7.1 濕式蝕刻 4-7.2 乾蝕刻 習題 參考資料 第5章 磊晶生長與光學薄膜 5-1 同質磊晶生長模式 5-2 異質磊晶的能隙與晶格常數 5-3 晶格失配的結構 5-4 異質磊晶層中的應變能 5-5 異質磊晶的差排能 5-6 超晶格應變層與插入差排 5-7 光學薄膜 5-8 光在薄膜界面的反射與穿透 5-9 多層抗反射薄膜 5-10 超晶格高反射薄膜 習題 參考資料 第6章 異質結構薄膜精進元件電性 6-1 異質結構薄膜 6-2 光電檢測器(photo detector) 6-3 太陽能電池(solar cell) 6-4 發光二極體(Light Emitting Diode LED) 6-5 半導體雷射二極體(Laser Diode LD) 6-6 異質雙載子接面電晶體 (Heterojunction Bipolor Transistor HBT) 6-7 高電子遷移率電晶體(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor pHEMT) 習題 參考資料 第7章 散射與薄膜結構或成分分析 7-1 X-射線繞射與三維倒晶個格 7-2 電漿振盪子(plasmons)與電磁耦合量子(polaritons) 7-2.1 離子晶體的聲子 7-2.2 電漿振盪子 7-3 二維結晶學 7-3.1 基板晶格表面 7-3.2 表面結構的Wood符號與疊層覆蓋率 7-3.3 薄膜與基板的繞射圖案關係 7-4 電子繞射(LEED ＆ RHEED) 7-5 拉塞福(Rutherford)反向散射光譜儀(RBS) 7-6 二次離子質譜儀 (SIMS) 習題 參考資料 第8章 薄膜特性檢測技術與原理 8-1 光學特性分析技術 8-1.1 光學顯微鏡 8-1.2 橢圓儀(ellipsometer) 8-1.3 紅外光譜儀(FTIR) 8-1.4 拉曼(Raman)光譜分析 8-1.5 激發光光譜分析 8-1.6 感應耦合電漿原子發射光譜(ICPOES) 8-2 電子束分析技術 8-2.1 掃描式電子顯微鏡 (SEM) 8-2.2 穿透式電子顯微鏡 (TEM) 8-2.3 歐傑電子光譜儀 (AES) 8-3 掃描探針顯微技術(Scanning Probe Microscopy) 8-3.1 掃描式穿隧顯微鏡 (STM) 8-3.2 原子力顯微鏡(AFM) 8-3.3 近場光學顯微鏡 8-4 X-射線分析技術 8-4.1 X射線特性 8-4.2 X光繞射儀 8-4.3 光電子光譜儀 (photoemission spectroscopy) 8-4.4 X射線螢光分析 8-5 薄膜應力量測 8-6 金屬薄膜的片電阻 8-7 絕緣薄膜的介電強度與崩潰電荷密度 習題 參考資料 附 錄 附錄A 部分習題解答 附錄B 元素週期表 附錄C 室溫下一些半導體之物性 附錄D Si、Ge、GaAs和SiO的性質(300°K) 附錄E 用於電子材料的某些元素的物理性質 附錄F 物理常數及其換算
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