菊地正典

1944年生，1968年日本東京大學工學部物理工學科畢業後，即進入日本電氣公司（NEC），從事一貫半導體元件及製程開發相關工作，累積半導體開發與量產的豐富經驗。1996年擔任NEC公司半導體事業集團總工程師，2000年擔任NEC電子元件總工程師，2002年起擔任日本半導體製造裝置協會（SEAJ）專務理事，2007年起擔任日本半導體能源研究所顧問。著作有：《圖解圖解電子裝置》（世茂出版），監修《圖解半導體製造裝置》（世茂出版）、《日本頂尖工程師的生存筆記》（智富出版）。

審定者簡介

國立交通大學電子物理系教授 趙天生

　　國立交通大學電子研究所博士。研究專長：半導體元件物理、深次微米前段元件製程、奈米元件製作、薄膜電晶體、超薄絕緣層製備、半導體晶圓潔淨技術。實驗室：先進半導體製程與量測實驗室。