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CMOS IC設計、佈局與模擬I
CMOS Circuit Design Layout and SimulationΙ
作者：
R. Jacob Baker、
譯者：
劉艷艷、張為、劉傳璽
分類：
工業•工程
／
電子•電機
出版社：
五南文化
出版日期：2010/1/1
ISBN：9789571158075
書籍編號：kk0259025
頁數：568
定價：
720
元
優惠價：
95
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684
元
書價若有異動，以出版社實際定價為準
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分
享
內容簡介
作者介紹
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CMOS IC設計、佈局與模擬I 本書是CMOS積體電路設計領域的一部力作，是作者20多年教學和研究成果的總結，內容涵蓋電路設計流程、EDA軟體、工藝集成、器件、模型、數字和類比積體電路設計等諸多方面，由基礎到前沿，由淺入深，架構合理，特色鮮明。 本書對學生、科研人員和工程師各有所側重。無論對於哪一種類型的讀者而言，本書都是一本極好的參考書。 目錄 1 CMOS設計簡介 1.1 CMOS集成電路設計流程 1.2 CMOS基礎 1.3 SPICE簡介 延伸閱讀 習題 2 阱 2.1 圖形制作 2.2 N阱的版圖設計 2.3 阻值的計算 2.4 N阱／襯底二極管 2.5 N阱的RC延遲 2.6 雙阱工藝 延伸閱讀 習題 3 金屬層 3.1 連接焊盤 3.2 用金屬層進行設計和版圖繪制 3.3 串擾和地電位上跳 3.4 LASI版圖設計實例 延伸閱讀 習題 4 有源層和多晶硅層 4.1 用active層和poly層繪制版圖 4.2 將導線與poly和active相連 4.3 靜電放電保護 延伸閱讀 習題 5 電阻、電容、MOS管 5.1 電阻 5.2 電容 5.3 MOS管 5.4 版圖實例 延伸閱讀 習題 6 MOS管工作原理 6.1 MOS管電容回顧 6.2 閾值電壓 6.3 MOS管的IV特性 6.4 MOS管的SPICE模型 6.5 短溝道MOS管 延伸閱讀 習題 7 CMOS制備 7.1 CMOS單位工藝步驟 7.2 CMOS工藝集成 7.3 後端工藝 7.4 總結 延伸閱讀 8 電噪聲概述 8.1 信號 8.2 電路噪聲 8.3 討論 延伸閱讀 符號及縮寫列表 習題 9 模擬設計模型 9.1 長溝道MOS管 9.2 短溝道MOS管 9.3 MOS管噪聲模型 延伸閱讀 習題 10 數字設計模型 10.1 數字MOS管模型 10.2 MOS管單管傳輸門 10.3 有關測量的最後注釋 延伸閱讀 習題 可行的學生項目 11 反相器 11.1 直流特性 11.2 開關特性 11.3 反相器的版圖 11.4 驅動大電容負載的反相器尺寸 11.5 其他類型的反相器 延伸閱讀 習題 12 靜態邏輯門 12.1 與非門和或非門的直流特性 12.2 或非門和與非門的版圖設計 12.3 開關特性 12.4 複雜的CMOS邏輯門 延伸閱讀 習題 13 鐘控電路 13.1 CMOS傳輸門 13.2 傳輸門的應用 13.3 鎖存器和觸發器 13.4 實例 延伸閱讀 習題 14 動態邏輯門 14.1 動態邏輯基礎 14.2 鐘控CMOS邏輯 延伸閱讀 習題
R．Jacob Baker博士 世界知名的電子設計專家。曾為美國軍方和國家實驗室從事多年尖端電子設備的研製工作。並長期擔任Micron．Amkor、Rendition等業界知名公司的技術顧問。在積體電路設計方面擁有200多項專利。1993年轉入學界，任教於愛達荷大學，2000年加入博伊芳西州立大學電子工程系擔任教授至今，期間參與創立了該校的電子工程博士學位項目，並任系主任多年。為IEEE高級會員．於2000年獲IEEE電力電子學會最佳論文獎。將業界的經驗帶進課堂。於2007年憑藉本書獲美國工程教育協會Frederick EmmonsTerman獎。
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