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半導體製程技術導論(第三版)
作者：
蕭 宏
分類：
參考•考試•教科書
／
大專學院教科書
叢書系列：大專電子
出版社：
全華圖書
出版日期：2014/8/18
ISBN：9789572195758
書籍編號：kk0457173
頁數：672
定價：
830
元
優惠價：
88
折
730
元
書價若有異動，以出版社實際定價為準
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內容簡介
書籍目錄
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半導體製程技術導論(第三版) 本書特色 1.本書延續上一版，極完整的章節架構，並更新了各相關新技術。 2.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧較舊的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。 3.本書提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。 內容簡介 本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於公私立大學、科大、技術學院，電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。
目錄 第一章 導論 1 1.1 積體電路發展歷史 3 1.2 積體電路發展回顧 14 1.3 本章總結 22 習題 22 參考文獻 22 第二章 積體電路製程介紹 25 2.1 積體電路製程簡介 26 2.2 積體電路的良率 26 2.3 無塵室技術 30 2.4 積體電路製程區間基本結構 38 2.5 積體電路測試與封裝 48 2.6 積體電路未來發展趨勢 55 2.7 本章總結 56 習題 57 參考文獻 58 第三章 半導體基礎 59 3.1 半導體基本概念 60 3.2 半導體基本元件 64 3.3 積體電路晶片 75 3.4 積體電路基本製程 79 3.5 互補式金屬氧化物電晶體 86 3.6 2000後半導體製程發展趨勢 90 3.7 本章總結 92 習題 93 參考文獻 93 第四章 晶圓製造 95 4.1 簡介 96 4.2 為什麼使用矽材料 96 4.3 晶體結構與缺陷 98 4.4 晶圓生產技術 101 4.5 磊晶矽生長技術 109 4.6 基板工程 117 4.7 本章總結 121 習題 122 參考文獻 122 第五章 加熱製程 125 5.1 簡介 126 5.2 加熱製程的硬體設備 126 5.3 氧化製程 130 5.4 擴散製程 150 5.5 退火過程 155 5.6 高溫化學氣相沉積 159 5.7 快速加熱製程(RTP)系統 167 5.8 加熱製程發展趨勢 174 5.9 本章總結 176 習題 177 參考文獻 178 第六章 微影製程 179 6.1 簡介 180 6.2 光阻 181 6.3 微影製程 184 6.4 微影技術的發展趨勢 210 6.5 安全性 228 6.6 本章總結 229 習題 231 參考文獻 232 第七章 電漿製程 235 7.1 簡介 236 7.2 電漿基本概念 236 7.3 電漿中的碰撞 238 7.4 電漿參數 242 7.5 離子轟擊 247 7.6 直流偏壓 249 7.7 電漿製程優點 251 7-8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 255 7.10 高密度電漿製程 260 7.11 本章總結 262 習題 263 參考文獻 263 第八章 離子佈植製程 265 8.1 簡介 266 8.2 離子佈植技術簡介 273 8.3 離子佈植技術硬體設備 281 8.4 離子佈植製程過程 290 8.5 安全性 304 8.6 離子佈植技術發展趨勢 306 8.7 本章總結 308 習題 309 參考文獻 310 第九章 蝕刻製程 311 9.1 蝕刻製程簡介 312 9.2 蝕刻製程基礎 314 9.3 濕式蝕刻製程 320 9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 325 9.5 電漿蝕刻製程 338 9.6 蝕刻製程發展趨勢 357 9.7 蝕刻製程未來發展趨勢 359 9.8 本章總結 361 習題 362 參考文獻 362 第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 365 10.1 簡介 366 10.2 化學氣相沉積 368 10.3 介電質薄膜的應用 385 10.4 介電質薄膜特性 393 10.5 介電質CVD製程 406 10.6 塗佈旋塗矽玻璃 420 10.7 高密度電漿CVD (HDP-CVD) 421 10.8 介電質CVD反應室清潔 424 10.9 製程發展趨勢與故障排除 428 10.10 化學氣相沉積製程發展趨勢 434 10.11 本章總結 441 習題 443 參考文獻 444 第十一章 金屬化製程 447 11.1 簡介 448 11.2 導電薄膜 450 11.3 金屬薄膜特性 464 11.4 金屬化學氣相沉積 472 11.5 物理氣相沉積 481 11.6 銅金屬化製程 493 11.7 安全性 499 11.8 本章總結 499 習題 501 參考文獻 502 第十二章 化學機械研磨製程 503 12.1 簡介 504 12.2 CMP硬體設備 514 12.3 CMP研磨漿 517 12.4 CMP基本理論 523 12.5 CMP製程過程 529 12.6 CMP製程發展趨勢 538 12.7 本章總結 539 習題 540 參考文獻 542 第十三章 半導體製程整合 545 13.1 簡介 546 13.2 晶圓準備 546 13.3 隔離技術 548 13.4 井區形成 554 13.5 電晶體製造 557 13.6 金屬高k閘極MOS 561 13.7 互連技術 565 13.8 鈍化 574 13.9 總結 575 習題 575 參考文獻 576 第十四章 IC製程技術 577 14.1 簡介 578 14.2 上世紀80年代CMOS製程流程 578 14.3 上世紀90年代CMOS製程流程 582 14.4 2000年代CMOS製程流程 596 14.5 2010年代CMOS製程流程 615 14.6 記憶體晶片製造製程 627 14.7 本章總結 644 習題 645 參考文獻 646 第十五章 半導體製程發展趨勢和總結 649 參考文獻 656
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