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矽晶圓半導體材料技術（精裝）
作者：
林明獻
分類：
工業•工程
／
電子通訊
叢書系列：
出版社：
全華圖書
出版日期：1999/12/1
ISBN：9572127454
書籍編號：sb0052495
頁數：544
定價：
590
元
優惠價：
75
折
443
元
書價若有異動，以出版社實際定價為準
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享
內容簡介
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<FONT COLOR="#AA0000">■ 內容簡介</FONT> 由於矽晶圓材料是半導體工業的基礎，因此從事半導體領域之學術研究與工程人員，都必須深入的瞭解矽晶圓的基本性質與製造過程。因此本書內容上採深入淺出的方式敘述，除了介紹矽晶圓工業的歷史演進與產業現況之外，尚包含了以下單元：矽晶的基本性質、多晶矽的製造技術、單晶生長、矽晶缺陷、矽晶之加工成型、性質檢測等單元。作者將本書的重點放在矽晶圓製造流程的介紹上。適用於對矽晶圓半導體材料技術有興趣之讀者及相關從業人員。 <FONT COLOR="#AA0000">■ 目錄</FONT> 1 緒 論 2 矽晶的性質 第1節 結晶性質2-3 第2節 半導體物理與矽晶的電性2-35 第3節 矽的光學性質2-55 第4節 矽的熱性質2-62 第5節 矽的機械性質2-68 3 多晶矽原料的生產技術 第1節 塊狀多晶矽製造技術-Simens方法3-3 第2節 塊狀多晶矽製造技術-ASiMi方法3-12 第3節 粒狀多晶矽製造技術3-18 4 單晶生長 前 言4-1 第1節 單晶生長理論4-3 第2節 CZ矽晶生長法(Czochralski Pulling)4-29 第3節 MCZ矽單晶生長法4-77 第4節 CCZ矽單晶生長法4-86 第5節 FZ矽單晶生長法4-97 第6節 矽磊晶生長技術4-115 5 矽晶圓缺陷 第1節 CZ矽晶的點缺陷與微缺陷5-8 第2節 氧析出物(Oxygen Precipitation)5-34 第3節 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults)5-62 6 矽晶圓之加工成型 第1節 切斷(Cropping)6-4 第2節 ?-12 第3節 方位指定加工－平邊與V-型槽 (Flat & Notch Grinding)6 第4節 切片(Slicing)6-19 第5節 圓邊(Edge Profiling)6-27 第6節 研磨(Lapping)6-30 第7節 蝕刻(Etching)6-36 第8節 拋光(Polishing)6-43 第9節 清?-54 第10節 雷射印碼(Laser Marking)6-69 7 矽晶圓性質之檢驗 第1節 PN判定7-3 第2節 電阻量測7-6 第3節 結晶軸方向檢定7-15 第4節 氧濃度的測定7-22 第5節 Lifetime量測技術7-36 第6節 晶圓缺陷檢驗與超微量分析技術7-53 附錄A 晶格幾何學 附錄B 基本常數 附錄C 矽的基本性質 附錄D 矽晶圓材料及半導體工業常用名詞之解釋
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