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ULSI製程技術
作者：
刁建成
分類：
工業•工程
／
綜論
出版社：
全華圖書
出版日期：2000/6/1
ISBN：957212899X
書籍編號：sb0065352
頁數：384
定價：
390
元
優惠價：
88
折
343
元
書價若有異動，以出版社實際定價為準
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分
享
內容簡介
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<FONT COLOR=AF0000>● 內容簡介 ●</FONT> <FONT COLOR=000011> 本書首先介紹元件構造及製程，之後說明微細加工技術、薄膜堆積技術、氧化膜技術、雜質植入技術、潔淨化技術、結晶成長技術、高．強介電質薄膜的形成、製程膜組技術、製程模擬技術，最後對將來可能的動向及課題做敘述。讀完本書將可掌握ULSI整體的概念，及製程技術將來可能的動向。本書適用於半導體製程相關從業人員參考使用。 <FONT COLOR="#AA0000">■ 目錄</FONT> 第1章 ULSI的構造及必要的製程技術 第2章 微細加工技術 2.1 微影技術 2.2 蝕刻技術 第3章 薄膜沉積技術 3.1 金屬膜沉積技術 3.2 絕緣膜沉積技術 第4章 氧化膜沈積技術 4.1 氧化矽膜的基本性質 4.2 單結晶矽的熱氧化 4.3 多結晶矽表面的氧化 4.4 總結 第5章 雜質摻雜技術 5.1 擴散技術 5.2 離子植入技術 第6章 潔淨化技術 6.1 濕式洗淨技術 6.2 乾式洗淨技術 6.3 吸氣(gettering)技術 第7章 結晶成長技術 7.1 矽結晶成長技術 7.2 控制結晶缺陷的技術 7.3 單結晶晶圓技術 7.4 SOI技術 第8章 高˙強介電質薄膜形成技術 8.1 強介電質材料和其在ULSI中的定位 8.2 Ta2O5電容器形成技術 8.3 立方晶(Perovskite)薄膜形成技術 第9章 製程模組技術 9.1 元件隔離技術 9.2 連接(contact)技術 9.3 多層導線技術 9.4 電容器技術 第10章 製程模擬技術 10.1 所謂製程模擬 10.2 氧化工程 10.3 擴散工程 10.4 成膜、蝕刻工程 10.5 高速處理技術及其利用技術的重要性 10.6 分子動力學模擬器 第11章 ULSI製程技術將來的動向和課題
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