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圖解半導體製造裝置
作者：
菊地正典、賴金雅春、春日壽夫
譯者：
羅丞曜、張萍
分類：
科學•自然
／
科學人文
叢書系列：科學視界
出版社：
世茂
出版日期：2008/9/30
ISBN：9789577769404
書籍編號：kk0216818
頁數：192
定價：
300
元
優惠價：
79
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237
元
書價若有異動，以出版社實際定價為準
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內容簡介
作者介紹
書籍目錄
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你我日常生活離不開的電腦、手機等電子產品，它們具備的智慧型功能要靠半導體才得以完成，因此半導體是資訊化社會不可或缺的核心要素。 本書即針對半導體如何製造的具體內容來說明，從實踐的觀點專業分析半導體製造的整體架構，著重在半導體的所有製程與具代表性製造裝置。 本書特色： 本書針對製造半導體的主要裝置詳盡解說。介紹半導體所有製程及與使用裝置的關係，並深入了解裝置的構造、動作原理及性能，輔以圖解進行細部分析，建立系統化知識。
菊地正典 1944年生，1968年東京大學工學部物理工學科畢業後，即進入日本電氣公司(NEC)，長期從事半導體元件及製程開發相關工作，累積半導體開發與量產的豐富經驗。1996年擔任NEC公司半導體事業集團總工程師，2000年擔任NEC電子元件總工程師，2002年起擔任日本半導體製造裝置協會(SEAJ)專務理事。 賴金雅春 1972年神戶大學工學部畢業後，即任職於日本電氣公司(NEC)，負責超高速半導體元件、製程開發工作，並於相模原事業場從事半導體製造工廠前段製程到後段製程的生產線及製程品質管理。2002年4月起，外派至日本半導體製造裝置協會。共同著作有《ULSI製造裝置實用便覽》(Science Forum)。 春日壽夫 1970年大阪大學基礎工學部畢業後，即任職於日本電氣公司(NEC)，進行半導體封裝技術開發，以及執行美國NEC公司半導體後段工程的工場建設及營運。目前從事NEC Electronics的技術涉外總括業務，並兼任JEITA及IEC半導體•實裝相關標準化與技術動向委員會的要職。 主要著作有：《CSP/BGA技術》、《CSP實裝技術》(以上日刊工業新聞社出版)、《高密度實裝技術100問》(工業調查會)等。
目錄 前言 第1章半導體製程概觀 1-1 前段製程與後段製程前段製程安裝元件、配線；後段製程進行封裝、選別、檢驗等 8 1-2 元件形成製程(前段製程 FEOL) ○1從晶圓洗淨、氧化到閘極氧化層之形成 2 1-3 元件形成製程(前段製程 FEOL) ○2閘極多晶矽之形成到埋設接觸孔 16 1-4 配線形成製程(前段製程 BEOL)將電晶體等以金屬配線、接續後形成迴路 20 1-5 晶圓電路檢查製程確認埋入晶圓內晶片迴路特性，判定其優、劣 24 1-6 組裝製程(後段製程)將優質的晶片與外埠端子連接，用薄膜來保護晶片 26 1-7 選別、檢驗製程(後段製程) 逐個檢查已完成之LSI電力特性、尺寸、外觀 28 Column 新材料、新技術持續登場 29 1-8 製造流程與所使用之裝置各元件構成零組件之流程概觀 30 第2章前段製程(洗淨~硬烤)之主要製程與裝置 2-1 洗淨 ○1一般使用藥劑之化學性清除方法 40 2-2 洗淨 ○2晶圓洗淨技術與新興洗淨技術 43 2-3 乾燥晶圓處理後務必要水洗、乾燥 45 2-4 氧化將晶圓矽表面轉換為矽氧化層 47 2-5 化學氣相沈積(CVD) ○1讓反應瓦斯進行化學反應，沉積出膜 49 2-6 化學氣相沈積(CVD) ○2ALD與Cat-CVD 52 2-7 光阻劑塗佈圖形(pattern)加工前之光阻劑塗佈 54 2-8 預烤 將光阻劑稍微加熱 56 2-9 曝光 ○1步進機(stepper) 、掃描機(scanner)、浸潤式曝光裝置 57 2-1 曝光 ○2EUV與圖形解析度提升技術 59 2-2 曝光 ○3電子束曝光裝置62Column曝光裝置方式 63 2-3 顯像•曝後烤在光阻劑上製作圖形，燒刻 64 第1章前段製程(乾式蝕刻~金屬鍍膜) 之主要製程與裝置 3-1 乾式蝕刻 ○1反應性離子蝕刻裝置 72 3-2 乾式蝕刻 ○2異向性蝕刻與等向性蝕刻 74 3-3 抗蝕劑剝離•灰化去除不要之光阻劑 76 3-4 CMP表面研磨、平坦化 78 3-5 濕式蝕刻整體蝕刻之主要用途 80 Column 矽化物技術 82 3-6 不純物質(雜參)導入裝置 ○1離子佈植83Column離子佈植光罩 84 3-7 不純物質(雜參)導入裝置 ○2新的不純物質導入技術 85 3-8 氧化層蝕刻(反蝕刻) 閘極側壁以自我對準方式形成絕緣膜 87 3-9 PVD(物理氣相沉積)裝置 ○1濺鍍 88 3-10 PVD(物理氣相沉積)裝置 ○2各種PVD技術 91 3-11 熱處理(退火) 非活性氣體中之晶圓熱處理 93 3-12 鍍膜將配線用的銅金屬做全面性的鍍膜 95 3-13 其他技術•裝置 ○1 磊晶沉積、熱擴散 97 3-14 其他技術•裝置 ○2絕緣膜塗佈、奈米壓印 99 第2章後段製程(切割~接合) 之主要製程與裝置 4-1 封裝 ○1封裝的種類與特徵 108 4-2 封裝 ○2從實裝技術來看半導體封裝的趨勢 112 Column為何需要高密度實裝技術 115 4-3 LSI後段製程方法將LSI裝置以封裝方法收� 116 4-4 研磨薄化矽晶圓 118 4-5 切割矽晶圓分割為單個積體電路 120 Column藉由超純水洗淨破壞半導體晶片的靜電 123 4-6 黏晶將分割後的半導體晶片搭載於封裝基板 124 4-7 打線接合將分割後的半導體晶片與外部電力連接 126 Column未來的新型態打線接合技術 129 4-8 無接線接合將半導體晶片與外部電力以無接線方式接合 130 第1章後段製程(樹脂封裝、端子加工、檢查)之主要製程與裝置 5-1 樹脂封裝 ○1導線架型封裝之傳送模塑樹脂封裝裝置 140 Column為何無鉛對環境保護來說是必要的？ 142 5-2 樹脂封裝 ○2僅有基板單邊設有縫細，可以樹脂封裝金屬方式注入樹脂144 5-3 導線架式封裝端子加工鍍、導線成形裝置 146 5-4 BGA式封裝端子加工附有球型、封裝切斷•分離 152 5-5 標記(Marking)於封裝產品上標記姓名與地址 154 5-6 無接線接合中具有代表性之後段製程製造方法案例TBGA與FCBGA 156 5-7 3D晶片堆疊構裝晶片堆疊之高密度、高性能化 160 Column何謂半導體~機器組合系統之統合設計 163 5-8 晶圓階段之封裝後段製程中，直接以擴散製程製造晶圓的方式 Column裸晶封裝所需要的KGD 167 5-9 半導體檢查製程LSI檢查 168 索引 176
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