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矽晶圓半導體材料技術(第五版)(精裝本)
作者：
林明獻
分類：
工業•工程
／
電子通訊
出版社：
全華圖書
出版日期：2019/10/15
ISBN：9789865032425
書籍編號：kk0499595
頁數：584
定價：
650
元
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88
折
572
元
書價若有異動，以出版社實際定價為準
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內容簡介
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矽晶圓半導體材料技術(第五版)(精裝本) 內容簡介 由於矽晶圓材料是半導體工業的基礎，因此從事半導體領域之學術研究與工程人員，都必須深入的瞭解矽晶圓的基本性質與製造過程。 因此本書內容上採深入淺出的方式敘述，除了介紹矽晶圓工業的歷史演進與產業現況之外，尚包含了以下單元：矽晶的基本性質、多晶矽的製造技術、單晶生長、矽晶缺陷、矽晶之加工成型、性質檢測等單元。 作者將本書的重點放在矽晶圓製造流程的介紹上。適用於晶圓半導體材料技術有興趣之讀者及相關從業人員。 本書特色 1.本書為國內第一本介紹矽晶圓材料的專業參考書籍。 2.本書詳細介紹矽晶的基本性質，矽晶圓材料的製造流程、矽晶圓缺陷控制以及矽晶圓性質檢測等單元，是一本從事半導體領域之學術研究與工程人員必備的專業書籍。
目錄 １緒論 ２矽晶的性質 第1節 結晶性質 第2節 半導體物理與矽晶的電性 第3節 矽的光學性質 第4節 矽的熱性質 第5節 矽的機械性質 ３多晶矽原料的生產技術 第1節 塊狀多晶矽製造技術-Simens方法 第2節 塊狀多晶矽製造技術-AsiMi方法 第3節 粒狀多晶矽製造技術 ４單晶生長 前言 第1節 單晶生長理論 第2節 CZ矽晶生長法(Czochralski Pulling) 第3節 MCZ矽單晶生長法 第4節 CCZ矽單晶生長法 第5節 FZ矽單晶生長法 第6節 矽磊晶生長技術 ５矽晶圓缺陷 第1節 CZ矽晶的點缺陷與微缺陷 第2節 氧析出物(Oxygen Precipitation) 第3節 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults) ６矽晶圓之加工成型 第1節 切斷(Cropping) 第2節 外徑磨削 (Grinding) 第3節 方位指定加工─平邊V-型槽(Flat ＆ Notch Grinding) 第4節 切片(Slicing) 第5節 圓邊(Edge Profiling) 第6節 研磨(Lapping) 第7節 蝕刻(Etching) 第8節 拋光(Polishing) 第9節 清洗(Cleaning) 第10節 雷射印碼(Laser Marking) 第11節 矽晶圓的背面處理 ７矽晶圓性質之檢驗 第1節 PN判定 第2節 電阻量測 第3節 結晶軸方向檢定 第4節 氧濃度的測定 第5節 Lifetime量測技術 第6節 晶圓缺陷檢驗與超微量分析技術 第7節 晶圓表面微粒之量測 第8節 金屬雜質之量測 第9節 平坦度之量測 附錄Ａ 晶格幾何學 附錄Ｂ 基本常數 附錄Ｃ 矽的基本性質 附錄Ｄ 矽晶圓材料及半導體工業常用名詞之解釋
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