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電子學(基礎概念)(第二版)
作者：
林奎至、阮弼群
分類：
工業•工程
／
電子•電機
叢書系列：大專電子?
出版社：
全華圖書
出版日期：2025/3/3
ISBN：9786264011945
書籍編號：kk0607513
頁數：544
定價：
690
元
優惠價：
88
折
607
元
書價若有異動，以出版社實際定價為準
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內容簡介
書籍目錄
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電子學(基礎概念)(第二版) 本書由作者以多年教學經驗為基礎，透過淺顯易懂的文字與圖示編撰而成，幫助讀者輕鬆掌握電子學的重要觀念與公式。書中善用問答方式陳述，讓學習更具互動性，提升理解與記憶效果，並於每章設計學習流程圖與生活化短文，啟發學習興趣及確立學習目標。 內容精選重要定理與核心觀念，採用中、英語對照方式呈現，打造課堂雙語互動的基礎。此外，書中收錄豐富且經典的題型及各校入學考題，幫助讀者有效驗證學習成果。 本書特色 1.每章設有學習流程圖，清楚歸納重點並確立學習目標。 2.每章特別設計「生活電子學」短文，以生活和歷史為例，生動闡述電子專業知識，激發學習興趣。 3.節選重要定理和觀念，以中、英語對照呈現，活絡雙語學習的潛力。 4.以淺顯易懂的方式講解觀念，定理推導條理分明且詳盡。 5.收錄豐富例題與習題，並精選近十所大專院校研究所入學考題及公務員高考考題，有效驗證學習成果，提升實戰應用能力。
Chapter1 微電子簡介 1.1 電子與微電子 1.2 微電子系統 1.3 類比與數位 1.4 基本定理回顧 重點回顧 Chapter2 半導體的基本特性 2.1 半導體物質與其特性 2.2 pn接面 2.3 逆向崩潰 2.4 實例挑戰 重點回顧 Chapter3 二極體模型與其電路的介紹 3.1 理想模型 3.2 二極體的其他模型 3.3 大訊號和小訊號的操作 3.4 二極體的應用電路 3.5 實例挑戰 重點回顧 Chapter4 雙極性接面電晶體的基本特性 4.1 BJT的結構 4.2 主動區──BJT做為放大器的操作區域 4.3 BJT的模型與特性 4.4 BJT操作在飽和區 4.5 pnp電晶體 4.6 實例挑戰 重點回顧 Chapter5 金氧半場效電晶體的基本特性 5.1 MOSFET的結構 5.2 n MOSFET的操作 5.3 MOS元件的模型 5.4 p MOS電晶體 5.5 互補式金氧半場效電晶體技術 5.6 BJT元件和MOS元件的比較 5.7 實例挑戰 重點回顧 Chapter6 雙極性電晶體放大器 6.1 一般性的考量 6.2 操作點的分析 6.3 BJT的放大組態 6.4 具偏壓的放大器組態 6.5 實例挑戰 重點回顧 Chapter7 金氧半場效電晶體放大器 7.1 一般性的考量 7.2 共源極組態(CS組態) 7.3 共閘極組態(CG組態) 7.4 共汲極組態(CD組態) 7.5 具偏壓的放大器組態 7.6 實例挑戰 重點回顧 Chapter8 運算放大器——當成一個元件使用 8.1 一般性的觀念 8.2 線性的運算放大器電路 8.3 非線性的運算放大器電路 8.4 運算放大器的非理想型 8.5 實例挑戰 重點回顧 ChapterA SPICE概論 A.1 電子元件的描述 A.2 模擬的步驟與程序 A.3 分析的型態 索引 習題演練?
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