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積體電路製程模擬
作者：
王啟林
分類：
工業•工程
／
電子•電機
出版社：
全華圖書
出版日期：1997/9/1
ISBN：9572119036
書籍編號：sb0064958
頁數：648
定價：
580
元
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510
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書價若有異動，以出版社實際定價為準
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內容簡介
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<FONT COLOR=AF0000>● 內容簡介 ●</FONT> <FONT COLOR=000011> 本書敘述了積體電路製程的基本理論及其模擬軟體 SSUPREM 3的基本使用,並根據積體電路製程的基本理論,設計44個 SSUPREM 3模擬例題,利用 SSUPREM 3 模擬,配合圖形、表格與數值分析方法討論積體電路製程的原理與參數的計算,對於從事與積體電路製程相關的工程師、及大專電子、電機科系的學生有很大的助益。 <FONT COLOR="#AA0000">■ 目錄</FONT> 第一章導論 1.1製程模擬 1.2製程模擬與實驗量測的共生關係 1.3SSUPREM3 簡介 第二章擴散 2.1擴散的基本原理 2.2擴散的原子模型 2.3擴散的數學模型 2.4擴散係數 2.5連續擴散 2.6接面的形成及接面特性 2.7片面電阻 2.8擴散系統 2.9併合擴散效應 2.10與擴散相關SSUOREM3的指令 2.11例題說明 第三章熱氧化 3.1矽的熱氧化 3.2氧化成長動力學 3.3氧化系統 3.4雜質的再分佈 3.5氧化層電荷 3.6氧化層厚度的估算 3.7最小平方近似法求解B與B/A 3.8氧化層遮蔽最小厚度的計算 3.9與熱氧化相關SSUPREM3的指令 3.10例題說明 第四章薄膜沉積 4.1真空沉積 4.2化學氣相沉積 4.3磊晶 4.4與沉積相關SSUPREM3的指令 4.5與磊晶相關SSUPREM3的指令 4.6例題說明 第五章蝕刻 5.1溼蝕刻 5.2乾蝕刻 5.3蝕刻相關SSUPREM3的指令 5.4與蝕刻相關SSUPREM3的指令 5.5例題說明 第六章離子佈值 6.1離子佈值機 6.2離子佈值技術 6.3入射範圍與數學模型 6.4阻隔物等效厚度的計算 6.5穿越阻隔物材料的劑量 6.6回火之後的濃度分佈 6.7對靶物的影響及其物理現象 6.8在矽元件的應用 6.9接面深度、片面電阻與瓶頸電壓的計算 6.10與離子佈值相關SSUPREM3的指令 6.11例題說明
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